您现在的位置是：主页 > 基础 > 电子器件知识电路图 >

PW2308芯片，N沟道增强型MOSFET-电子器件知识电路图

发布时间：2022-12-21 05:38:30所属栏目：电子器件知识电路图 已帮助人编辑作者：电路图知识网

一般说明
PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
特征

  • VDS=60V，ID=5A

  • RDS（开）38mΩ@VGS=10V

  • 提供3针SOT23-3封装

应用

  • 电池保护

  • 负荷开关

  • 自动照明

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）

电气特性（TA=25°C，除非另有说明。）

Tags：

上一篇：PW2337芯片，P沟道增强型MOSFET-电子器件知识电路图

下一篇：为什么贴片磁珠跟贴片电阻单位一样？-电子器件知识电路图

相关文章

猜你喜欢

本人名片

姓名：曾工

职业：企业网络IT外包维护

现居：深圳罗湖宝能大厦附近

电话：15768114603

电子器件知识电路图相关资讯