双向可控硅在导通dIT/dt中的规范介绍-可控硅专项电路图

 双向可控硅是近年来表现较为优秀的一种交流开关器件，其在应用上又有着较为明显的多样性优势。在之前的文章中，小编曾为大家介绍过关于双向可控硅应用中关于导通的相关规则技巧。本文将为大家介绍双向可控硅在导通时dIT/dt的应用规则与技巧。

在进行双向可控硅应用时，需要选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。

具有高初始涌入电流的常见负载是白炽灯，冷态下电阻低。对于这种电阻性负载，若在电源电压的峰值开始导通，dIT/dt将具有最大值。假如这值有可能超过双向可控硅的dIT/dt值，最好在负载上串联一只几μH的电感加以限制，或串联负温度系数的热敏电阻。重申，电感在最大电流下不能饱和。一旦饱和，电感将跌落，再也不能限制dIT/dt。无铁芯的电感符合这个条件。一个更巧妙的解决办法是采用零电压导通，不必接入任何限制电流的器件。电流可以从正弦波起点开始逐渐上升。注意：应该提醒，零电压导通只能用在电阻性负载。对于电感性负载，由于电压和电流间存在相位差，使用这方法会引起“半波”或单极导通，可能使电感性负载饱和，导致破坏性的高峰电流，以及过热。这种场合，更先进的控制技术采用零电流切换或变相位角触发。

若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上最好串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。

相信大家在阅读过本文之后都对双向可控硅导通dIT/dt有了全新的认识，只要按照文中给出的相关规则进行双向可控硅导通dIT/dt，相信便能顺利完成读者所需的设计。在之后的文章中，小编将为大家继续介绍双向可控硅在其他应用中的规范与技巧。

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