您现在的位置是:主页 > 基础 > 电子入门电路图 >
N沟道MOS管结构工作原理-电子入门电路图
发布时间:2022-10-01 03:02:43所属栏目:电子入门电路图 已帮助人编辑作者:电路图知识网
N沟道MOS管的结构及工作原理
N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理
结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,还是不能满足要求。而且,由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温条件下工作时,PN结反向电流增大,反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同,金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的栅极与半导体之间隔有二氧化硅(SiO2)绝缘介质,使栅极处于绝缘状态(故又称绝缘栅场效应管),因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单,适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS管也有N沟道和P沟道之分,而且每一类又分为增强型和耗尽型两种,二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时,漏-源极之间没有导电沟道存在,即使加上电压vDS(在一定的数值范围内),也没有漏极电流产生(iD=0)。而耗尽型MOS管在vGS=0时,漏-源极间就有导电沟道存在。
一、N沟道增强型场效应管结构
a) N沟道增强型MOS管结构示意图
(b) N沟道增强型MOS管代表符号
(c) P沟道增强型MOS管代表符号
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,
并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。另外在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。图1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图 1(c)所示。
Tags:
相关文章
电子入门电路图相关资讯
积分电路原理-电子入门电路图
焊锡技术怎样使焊锡点光亮-电子入门电路图
为什么集成运放在线性应用时必须加上深度负反馈?-电子入门电路图
N沟道MOS管结构工作原理-电子入门电路图
根据闭环增益的增减来判断正负反馈是否一致?-电子入门电路图
LED芯片原理与基础知识详解-电子入门电路图
波形发生电路所产生的自激振荡与负反馈放大电路所产生的自激振荡-电子入门电路图
如何正确判别各放大电路的基本组态?-电子入门电路图
USB3.0连接器引脚、接口定义及封装尺寸-电子入门电路图
认识电阻器及色环电阻的换算-电子入门电路图
基本放大电路的组成,共发射极电路-电子入门电路图
电动车玩具原理电路图-电子入门电路图
移相器基本电路-电子入门电路图
缓冲电路的基本结构-电子入门电路图
FPGA基础知识-电子入门电路图