100W级超大功率射频LDMOS FET-通信综合电路图

英飞凌半导体公司近日推出一款型号为PXAC261002FC_V1超大功率射频LDMOS FET，该器件工作频率范围为2496~2690MHz， 最大输出功率可达100W。该款射频LDMOS采用非对称设计，主要针对具有多重标准单元的功率放大应用。

PXAC261002FC_V1采用双路设计，具有高增益，增益最高可达19.1dB。同时，该LDMOS FET采用英飞凌先进的LDMOS工艺进行生产制造，并配合热阻加强型封装设计，具有良好的热阻表现及出色的稳定性，热阻仅为0.6℃/W，而结温可达225℃，低热阻高结温保证了器件在大功率应用中不会因为LDMOS FET过热导致系统故障。此外，PXAC261002FC_V1的导通电阻低，其典型导通电阻为0.3Ω，峰值情况下时仅为0.16Ω，并且该LDMOS FET还具有高效率，最高转换效率可达63.4%。PXAC261002FC_V1作为一款超大功率射频LDMOS FET主要面向于双载波WCDMA驱动放大设计，并可用于对3GPP WCDMA信号的放大。

 
PXAC261002FC_V1实物图

PXAC261002FC_V1的主要特点：

• 最高工作电压：32V

• 宽带内部输入输出匹配

• 采用非对称设计，P1dB（1dB压缩点）载波功放达40W，峰值功放达70W

• 脉冲测试，频率2590MHz，工作电压26V，周期160us，占空比10%，采用Doherty结构，P1dB可达46.5dBm，P3dB可达50.1dBm

• 具有低热阻，仅为0.6℃/W，结温可达225℃

• 工作电压28V，输出功率100W时，可以承受10:1的驻波比失配

• 集成ESD保护功能，符合人体模型1C级标准要求（JESD22-A114）

• 采用H-37248-4封装，尺寸为20.57mm x 19.43mm x3.76mm

• 不含铅（Pb-free），符合RoHS标准要求

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