200MHz高速CMOS工艺双倍速率同步动态存储器-模拟基础电路图

全球性专业RAM供应商Alliance Memory于2015年4月推出了一款256Mb的新型存储器AS4C32M8D1，可以实现双倍速率的同步动态随机存取。AS4C32M8D1采用66-pin TSOP II封装，0.65mm的Pin脚间距。基于CMOS工艺，内部是流水线结构，配置为32M word×8bits。该款产品主要应用在医疗、消费、通信等需要高内存带宽的方案里，可替代市场上绝大部分同类的其他产品，完美实现了Pin to Pin兼容。

AS4C32M8D1存储器采用脉冲数据传输模式。基于脉冲终止选项，该存储器提供的可编程读写脉冲长度为2、4、8，并且在脉冲序列结束时启用自动预充电模式，可以实现自定时预充电功能。该存储器内含有可编程模式寄存器，系统工作时可以自动选择相应的的工作模式，从而最大限度地提高存储器的性能。除此之外，该存储器具有简单易用的刷新选项，包括自动刷新和自刷新功能。

AS4C32M8D1存储器的特性：

• 内存大小：256Mb

• 结构配置：32M*8bit

• 时钟频率：200MHz

• 可编程模式寄存器

• 脉冲串长度：2，4，8 

• 温度范围：0~+70℃（消费级），-40~+85℃（工业级）

• 供电电压：+2.5V 0.2V

• 封装：66-pin TSOP II

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