静电闪电都不怕，通过±30kV电压测试的瞬态抑制二极管-LED电路图

全球领先的电路保护产品供应商LITTELFUSE公司于2015年3月3日推出了瞬态抑制二极管SLVU2.8-8系列。该系列芯片通过屏蔽浪涌来防止雷电引起的电磁感应和静电对系统的损害。SLVU2.8-8专为限制有害电压而设计，其有着超强的浪涌保护功能，增强的ESD保护能力，极低的泄露电流等优势。SLVU2.8-8系列芯片可以广泛应用于局域网和广域网设备、开关系统、电脑和服务器设备、模拟输入和基站等。

 
图：瞬态抑制二极管SLVU2.8-8

SLVU2.8-8系列芯片符合IEC61000-4-2国际标准。这使得该系列芯片在不同环境条件下都能够保障系统的正常运行。产品通过了严酷的实验测试，其中接触放电测试电压为30kV，气隙放电测试电压30kV。 每个低压瞬变电压抑制二极管都有一个与之串联的补偿二极管，可为受保护的线路提供低负载电容。根据IEC61000-4-2标准，该稳定结构可以在±30kV（接触放电）条件下安全地吸收反复性ESD冲击。

除了静电测试，SLVU2.8-8系列芯片还通过了电快速瞬变脉冲群抗扰度试验和电涌抗扰试验的检验，并符合IEC61000-4-4、IEC61000-4-5国际标准。SLVU2.8-8系列芯片且可以在极低的箝位电压下安全地耗散30A的波形浪涌电流。SLVU2.8-8系列芯片的封装采用SOIC-8（JEDEC MO-012），其引脚配置可以保护所有4个1GbE差分对。并且芯片的4条线路中每条线路的电容最低至2.6pF动态电阻低至0.3Ω（典型值）。

SLVU2.8-8产品特点：

• ESD符合IEC61000-4-2标准：接触放点：±30kV，气隙放电：±30kV

• EFT符合IEC61000-4-4标准，40A（5/50ns）

• 雷击符合IEC61000-4-5标准，30A（8/20µs） 

• 每条线路电容低至2.6pF

• 2.8V电压时的低泄漏电流最大为0.1µA

• 符合AEC-Q101标准

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